硬件设计 - 文章列表

S3C2410的LCD驱动编写指南 点击:503
 非常好的总结性文章,强烈推荐! 点击下载: http://www.hzlitai.com.cn/bbs/dispbbs.asp?BoardID=11&ID=1647&replyID=&skin=1(2008-11-19)
S3C2410A中文数据手册memory(第五章) 点击:392
 第五章 存储器控制器 点击下载: S3C2410/pdf_chinese/s3c2410a_5memory.pdf(2008-11-19)
S3C2410A中文数据手册nandflash(第六章) 点击:396
 第六章 Nandflash控制器 点击下载: S3C2410/pdf_chinese/s3c2410a_6nandflash.pdf(2008-11-19)
Nandflash的坏块 点击:1141
 1)为什么会出现坏块由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。坏块的特性是:当编程/擦除这个块时,不能将某些位拉高,这会造成Page Program和Block Erase操作时的错误,相应地反映(2008-11-19)
S3C2410A中文数据手册ADC(第十六章) 点击:361
 第十六章 ADC和触摸屏接口 点击下载: S3C2410/pdf_chinese/s3c2410a_16adc.pdf(2008-11-19)
S3C2410的Nandflash控制器简介 点击:513
 由于NOR型flash价格较高而SDRAM和Nandflash存储器的价格则适中,激发了使用者将启动代码放在Nandflash执行而主程序代码则放在SDRAM中执行的愿望。 S3C2410A的启动代码可以在外部Nandflash存储器中执行,为了支持Nandflash的bootloader,S3C2410A具备一个内部SRAM缓(2008-11-19)
ARM芯片的应用和选型 点击:1601
 摘要:ARM公司以及ARM芯片的现状和发展,从应用的角度介绍了ARM芯片的选择方法,并介绍了具有多芯核结构的ARM芯片。列举了目前的主要ARM芯片供应商,其产品以及应用领域。举例说明了几种嵌入式产品最佳ARM芯片选择方案。(2008-11-19)
2410开发板的存储空间分配 点击:376
 SDRAM Memoay Map:(2008-11-19)