S3C6410的DRAM控制器

发 布 时 间 : 2010-05-04 来 源 : CSDN博客 作 者 : ARM-WinCE 浏 览 :

我们在项目中更换了DRAM,所以需要重新配置S3C6410的DRAM控制器,结果发现S3C6410中的DRAM控制器还是挺复杂的。

 


S3C6410支持两个DRAM片选,可以分别接最大256MB的内存,该处理器用的DRAM控制器是来自ARM的PrimeCell Dynamic Memory Controller(PL340)。只看S3C6410的Datasheet中的DRAM部分介绍是不够的,你还需要看PL340的技术参考文档,这个文档网上搜索一下就有了。想完全了解6410的DRAM控制器,必须两篇文档都看。我都看了,虽然没完全了解,但是比看6410的datasheet要强多了。

 

我用的是mobile DDR-SDRAM,所以在这里大概介绍一下寄存器及配置流程。先介绍一下寄存器:

 

1. DRAM Controller Status Register (Address: 0x7E001000)

DRAM状态寄存器,这是一个RO寄存器,用于读取DRAM的状态。

 

实际上,读到的有用信息就是Controller Status和Memory width。

 

2. DRAM Controller Command Register (Address: 0x7E001004)

DRAM命令寄存器,设置DRAM的工作状态。

最开始应该配置为0x4,是处于Configure状态。在配置完所有的DRAM之后,将该寄存器设置为0x0,处于运行状态。

 

3. Direct Command Register (Address: 0x7E001008)

DRAM命令寄存器,用于发送命令到DRAM和访问DRAM中的MRS和EMRS寄存器。

通过该寄存器初始化DRAM,先设置为NOP模式,然后设置为PrechargeAll进行充电,然后设置EMRS和MRS寄存器,一般是这么一个流程。具体的要参见你所使用的DRAM的datasheet。

 

4. Memory Configuration Register (Address: 0x7E00100C)

DRAM的配置寄存器,这个与需要参照你所使用的DRAMdatasheet

 


该寄存器肯定是要配的,看看DRAM的datasheet就知道了。

 

5. Refresh Period Register (Address: 0x7E001010)

DRAM的刷新频率寄存器,用于配置刷新频率的。
 


6. CAS Latency Register (Address: 0x7E001014)

DRAM的CAS延时寄存器,一定要配,参考DRAM的datasheet。

 


7. t_dqss/t_mrd/t-ras/t_rc/t_rcd/t_rfc/t_rp/t_rrd/t_wr/t_wtr/t_xp/t_xsr/t_esr Registers (Address: 0x7E001018---0x7E001048)

DRAM操作中所需时间和延时寄存器,这里不作过多介绍,具体可以参考PL340文档。

 

8. Memory Configuration 2 Register (Address: 0x7E00104C)

DRAM的配置寄存器2。

 
 


9. CHIP_N_CFG Register (Address: 0x7E001200/0x7E001204)

 


上面介绍了一些寄存器,还有一些寄存器由于没有用到,所以没有去了解。下面给一个DRAM初始化的例子:

 

WriteReg: 0x7e001004            0x4                  //设置DRAM控制器状态为Configure

WriteReg: 0x7e001010            0x40d              //设置DRAM的刷新周期

WriteReg: 0x7e001014            0x6                  //设置CAS延时

WriteReg: 0x7e001018            0x3                  //设置t_DQSS

WriteReg: 0x7e00101c             0xf                  //设置t_MRD

WriteReg: 0x7e001020            0xf                   //设置t_RAS

WriteReg: 0x7e001024            0xf                   //设置t_RC

WriteReg: 0x7e001028            0x1f                 //设置t_RCD

WriteReg: 0x7e00102c             0x21f              //设置t_RFC

WriteReg: 0x7e001030            0xf                   //设置t_RP

WriteReg: 0x7e001034            0xf                   //设置t_RRD

WriteReg: 0x7e001038            0x7                  //设置t_WR

WriteReg: 0x7e00103c             0x7                 //设置t_WTR

WriteReg: 0x7e001040            0xf                   //设置t_XP

WriteReg: 0x7e001044            0x1f                 //设置t_XSR

WriteReg: 0x7e001048            0x1f                 //设置t_ESR

WriteReg: 0x7e00100c             0x10012         //设置DRAM的Column, Row等属性

WriteReg: 0x7e00104c             0x0b45           //设置DRAM的buswidth,type等属性

WriteReg: 0x7e001200            0x150f8           //设置RBC以及片选属性

WriteReg: 0x7e001304            0x0                  //设置DQS延时

WriteReg: 0x7e001008            0xc0000          //发送NOP命令到DRAM

WriteReg: 0x7e001008            0x0                  //发送Precharge命令到DRAM

WriteReg: 0x7e001008            0x40000          //发送Autorefresh命令到DRAM

WriteReg: 0x7e001008            0x40000          //发送Autorefresh命令到DRAM

WriteReg: 0x7e001008            0xa0000          //设置DRAM的EMRS寄存器

WriteReg: 0x7e001008            0x80032          //设置DRAM的MRS寄存器

WriteReg: 0x7e001004            0x0                  //设置DRAM控制器开始运行

 


关于DRAM控制器的配置要参见所使用的DRAM的Datasheet,了解DRAM的结构和初始化过程,才能正确配置。S3C6410的DRAM控制器比较复杂,有些寄存器也不是很理解,在ARM的PL340的文档中也没做太多解释。

我的建议就是能不换DRAM最好,换了也要尽量和S3C6410板上的DRAM相近。



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